主要用于 和 電路。本指南有助于確保不出現性能不滿意、成本不合適及可用性不良等現象。

振(zhen)動(dong)模式與頻率關系

 1～35MHz

3次 泛音(yin) 10～75MHz

5次(ci)泛音 50～150MHz

 7次(ci)泛(fan)音 100～200MHz

9次泛音 150～250MHz

晶體電阻

對于同一頻率，當工作(zuo)在高次 泛音振動(dong)時其電(dian)阻值將(jiang)比工作(zuo)在低次振動(dong)時大。

溫度頻差

在提(ti)出溫(wen)度(du)頻差時，應考(kao)慮設備工作(zuo)引起的(de)溫(wen)升(sheng)容限。當(dang)對溫(wen)度(du)頻差要求很高(gao)，同(tong)時空間和功率(lv)都允許的(de)情況下(xia)，應考(kao)慮恒(heng)溫(wen)工作(zuo)， 恒(heng)溫(wen)晶體(ti)振蕩器(qi)就是為此而設計的(de)。

負載電容與頻率牽引

在(zai)許多應用(yong)中，都有(you)用(yong)一負載電抗元件(jian)來牽引晶體頻(pin)(pin)率的要求，這(zhe)在(zai)回路及 應用(yong)中非常必要，大多數情況下，這(zhe)個負載電抗呈容性(xing)，當該電容值(zhi)為CL時，則相(xiang)對(dui)負載 偏移(yi)量為：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作為可調元件(jian)由DL1調至DL2時，相(xiang)對(dui)頻(pin)(pin)率牽引為：

 DL1，L2= C1（CL1－）/[2（C0+CL1）（C0+CL2）]。

負載電容的選擇

晶體(ti)工作(zuo)(zuo)在 時，其 的標(biao)準值(zhi)為20PF、30PF、50PF、100PF。而 泛音晶體(ti)經常工作(zuo)(zuo)在 串聯諧振，在使用負載電容(rong)的地方，其負載電容(rong)值(zhi)應從下(xia)列(lie)標(biao)準值(zhi)中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。

激勵電平的影響

 一般來講(jiang)，AT切晶體激勵(li)(li)(li)電平的增大，其(qi)頻(pin)(pin)率變化是正的。激勵(li)(li)(li)電平過(guo)高會(hui)引(yin)起 ，導致可能出現寄生(sheng)振(zhen)蕩；嚴重熱頻(pin)(pin)漂；過(guo)應力頻(pin)(pin)漂及(ji)電阻突變。當激勵(li)(li)(li)電平過(guo)低時則會(hui)造(zao)成起振(zhen)阻力不易克服、工作不良及(ji)指(zhi)標的不穩定(ding)。 

濾波電路中的應用

應(ying)用于中時，除(chu)通常的(de)規定外(wai)，更(geng)應(ying)注意其元件的(de)數值和(he)誤差以及寄生(sheng)響應(ying)的(de)位置(zhi)和(he)幅度(du)，由于濾波(bo)晶體設計的(de)特殊性，所(suo)以用戶(hu)選購時應(ying)特別說明。