標(biao)稱頻率

晶(jing)體技術(shu)條件中規定的頻率，通(tong)常標識在(zai)產(chan)品外殼上。

工(gong)作頻率

晶體(ti)與工作電路共(gong)同產生的頻率。

調整頻差(cha)

在(zai)規定條件下，基準(zhun)溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標稱(cheng)頻率所(suo)允許的偏差。

溫(wen)度頻(pin)差

在(zai)規定條件下，在(zai)工作(zuo)溫度范圍內相(xiang)對于基準溫度（25±2℃）時工作(zuo)頻率的允許

偏(pian)差。

老(lao)化(hua)率

在規定條件下，晶體(ti)工作頻(pin)率隨時(shi)間而允許的相對變化。以年為衡量時(shi)稱(cheng)為

年老化率。

靜電容(rong)

中(zhong)與串聯(lian)臂并接的電(dian)容(rong)，也叫(jiao)并電(dian)容(rong)，通常(chang)用C0表示(shi)。

與晶體一(yi)起決(jue)定(ding)負載 fL的有效外界電(dian)容，通常用CL表示(shi)。

負(fu)載電(dian)容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。

只要可能就應選推(tui)薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。

負載(zai)諧振頻率

在規定(ding)條件下，晶體與一(yi)負載(zai)電容相(xiang)串聯或相(xiang) ，其組合(he)阻抗呈現為

電(dian)阻性時(shi)的(de)(de)兩個頻(pin)率中(zhong)的(de)(de)一個頻(pin)率。在串(chuan)聯負載(zai)電(dian)容時(shi)，負載(zai)諧振(zhen)頻(pin)率是兩個頻(pin)率中(zhong)較低(di)的(de)(de)一個，在并聯 負載(zai)電(dian)容時(shi)，則是兩個頻(pin)率中(zhong)較高的(de)(de)一個。

串聯 下的 。用R1表示。

負載 

 在負載諧振頻(pin)率時呈(cheng)現(xian)的等(deng)效電阻。用RL表示。

RL=R1（1+C0/CL）2

激勵電平

晶體(ti)工(gong)作時所(suo)消耗(hao)功率的表征值。

激勵電平可選(xuan)值有(you)：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等

在振動模式最低階次的 。

泛(fan)音

晶體(ti)振(zhen)動(dong)的機械 諧波。泛音頻率與基頻頻率之比(bi)接近整數倍(bei)但不(bu)是(shi)整數倍(bei)，這是(shi)它(ta)與電氣諧波的主要(yao)區(qu)別(bie)。泛音振(zhen)動(dong)有3次(ci)泛音，5次(ci)泛音，7次(ci)泛音，9次(ci)泛音等。